个人理解:
两者虽然都是用芯片组成新的内存条，但是位拓展是逻辑上让这些芯片属于一个新的内存条，拓展了每个存储单元的大小。
而多体交叉编址并未改变其存储单元大小，只是让数据以他的规则进行排序
以本题为例，已经确定为按字节编址，故每个存储单元位数都为一字节，自然不能使用位拓展将存储单元的位数扩大
则必须使用多模块交叉编址
多模块交叉编址的分类
顺序编址（高位交叉）
这种情形下，我们按地址的前几位进行存储数据，如果有4个芯片，则前两位作为区分所在模块的位置如01000000——011111111，将数据顺序存储起来。
但是这样无法让他们并行启动，假如总线周期是1，而一个存期周期是4，那么当总线占用完传完数据后只能等待3才能继续下一个存储单元的使用
交叉编址（低位交叉）
交叉编址则是以后几位为标准进行存储，这样就能把顺序数据均匀的分布在四个芯片上了
如何区分这四个是轮流启动还是一起启动呢？要看总线宽度和DRAM的位数，如果4个DRAM的位数合在一起是32位，而总线宽度也是32，则可以一起启动，四个一起传输到总线上
如果一个DRAM的位数和总线宽度一致，那么每次总线只能传输一个存储单元，则需要流水线的方式来进行传输。模块个数也就是大于等于T/r，否则总线周期已经结束，下一个芯片的存取周期还没结束只能干等着
